Oxide Breakdown

释义 Definition

oxide breakdown：指“氧化层击穿/氧化物击穿”，常见于材料科学与微电子领域，表示氧化物薄膜（如二氧化硅 SiO₂、栅氧化层等）在高电场、缺陷累积或应力作用下失去绝缘能力，发生导电通道形成，从而导致漏电骤增或器件失效。（在不同语境下也可泛指金属表面氧化膜的失效与破裂。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈɑːksaɪd ˈbreɪkdaʊn/

例句 Examples

Oxide breakdown can ruin a transistor.
氧化层击穿会毁掉一个晶体管。

After prolonged electrical stress, the device showed oxide breakdown, causing a sharp rise in leakage current and permanent performance degradation.
在长时间电应力作用后，该器件出现氧化层击穿，导致漏电流陡增并造成永久性性能退化。

词源 Etymology

oxide 来自 “oxide（氧化物）”，源于 “oxygen（氧）” 相关的化学命名体系；breakdown 表示“崩溃、失效、击穿”，在电工学里常用于指绝缘介质在强电场下的失效（如 electrical breakdown）。合在一起，oxide breakdown 就是“氧化物/氧化层作为绝缘介质发生电击穿而失效”。

相关词 Related Words

• Breakdown
• Dielectric
• Dielectric Breakdown
• Insulator
• Leakage
• Oxide
• Passivation
• Reliability
• Silicon Dioxide
• Threshold Voltage

文献与作品 Literary / Notable Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze, Kwok K. Ng）：讨论 MOS 结构与栅氧化层可靠性问题，包含氧化层击穿相关内容。
• Microelectronic Circuits（Sedra/Smith）：在 MOSFET 与器件可靠性/失效机制语境中常涉及氧化层应力与击穿概念。
• Introduction to Materials Science for Engineers（William D. Callister）：在绝缘材料、电学失效与材料缺陷相关章节可见“击穿（breakdown）”及氧化膜失效的讨论。
• IEEE 可靠性与器件物理相关论文（如关于 TDDB：Time-Dependent Dielectric Breakdown）：大量使用 “oxide breakdown” 描述栅介质随时间应力导致的击穿现象。